AEC-Q101, řada: OptiMOS-T2 Výkonový tranzistor IPG20N10S436AATMA1 Typ N-kanálový 20 A 100 V, TDSON, počet kolíků: 8
- Skladové číslo RS:
- 218-3060
- Výrobní číslo:
- IPG20N10S436AATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
309,49 Kč
(bez DPH)
374,48 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 680 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 30,949 Kč | 309,49 Kč |
| 50 - 90 | 29,393 Kč | 293,93 Kč |
| 100 - 240 | 28,158 Kč | 281,58 Kč |
| 250 - 490 | 26,948 Kč | 269,48 Kč |
| 500 + | 25,071 Kč | 250,71 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3060
- Výrobní číslo:
- IPG20N10S436AATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | Výkonový tranzistor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | OptiMOS-T2 | |
| Typ balení | TDSON | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 36mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 43W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Normy/schválení | AEC Q101, RoHS | |
| Délka | 5.15mm | |
| Šířka | 5.9mm | |
| Výška | 1mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu Výkonový tranzistor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada OptiMOS-T2 | ||
Typ balení TDSON | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 36mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 43W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Normy/schválení AEC Q101, RoHS | ||
Délka 5.15mm | ||
Šířka 5.9mm | ||
Výška 1mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Duální N-kanálový automobilový MOSFET řady Infineon OptMOS™-T2. Je to možné pro automatickou optickou kontrolu (AOI).
Duální N-kanál – režim vylepšení
Testováno 100% Avalanche
Provozní teplota 175 °C