řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 5 A 600 V Infineon, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 218-3002
- Výrobní číslo:
- IPA60R1K5CEXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (50 jednotky/-ek, do tubusu po 50 ks)*
1 004,80 Kč
(bez DPH)
1 215,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 05. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 20,096 Kč | 1 004,80 Kč |
| 100 - 200 | 15,675 Kč | 783,75 Kč |
| 250 - 450 | 14,667 Kč | 733,35 Kč |
| 500 - 1200 | 13,669 Kč | 683,45 Kč |
| 1250 + | 12,661 Kč | 633,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3002
- Výrobní číslo:
- IPA60R1K5CEXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Řada | CoolMOS CE | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.5Ω | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 49W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 10.65mm | |
| Délka | 13.75mm | |
| Výška | 29.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Řada CoolMOS CE | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.5Ω | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 49W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 10.65mm | ||
Délka 13.75mm | ||
Výška 29.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 600V CoolMOS™ CE řada N-kanálový výkonový MOSFET. Přináší nízké ztráty vedení a spínání, které zvyšují efektivitu a v konečném důsledku snižují spotřebu energie. Tento MOSFET se používá ve fázích PFC, tvrdých spínacích fázích PWM a rezonančních spínacích fázích, např. PC Silverbox, adaptér, LCD a PDP TV a vnitřní osvětlení.
Velmi vysoká odolnost při komutaci
Snadné použití/jízda
Pokovování bez obsahu olova, směs nehalogenových forem
Související odkazy
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPA60R1K5CEXKSA1 N-kanálový 5 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS C3 MOSFET N-kanálový 15 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C3 MOSFET SPA15N60C3XKSA1 N-kanálový 15 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 8.4 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 2.6 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 5 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 600V CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 5 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPS60R800CEAKMA1 N-kanálový 8.4 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení