řada: 500V CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 7.6 A 550 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 218-2991
- Výrobní číslo:
- IPA50R800CEXKSA2
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
696,55 Kč
(bez DPH)
842,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 350 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 13,931 Kč | 696,55 Kč |
| 100 - 200 | 10,868 Kč | 543,40 Kč |
| 250 - 450 | 10,171 Kč | 508,55 Kč |
| 500 - 1200 | 9,475 Kč | 473,75 Kč |
| 1250 + | 8,778 Kč | 438,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-2991
- Výrobní číslo:
- IPA50R800CEXKSA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 550V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | 500V CoolMOS CE | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 800mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 830mV | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 29.75mm | |
| Délka | 16.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 550V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada 500V CoolMOS CE | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 800mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 830mV | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 29.75mm | ||
Délka 16.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 500V CoolMOS™ CE řada N-kanálový výkonový MOSFET. CoolMOS™ je revoluční technologie pro výkonové tranzistory MOSFET s vysokým napětím, navržené podle principu superjunkce (SJ) a propagované společností Infineon Technologies. Tento MOSFET se používá ve fázích PFC, tvrdých spínacích fázích PWM a rezonančních spínacích fázích, např. PC Silverbox, adaptér, LCD a PDP TV a vnitřní osvětlení.
Velmi vysoká odolnost při komutaci
Snadné použití/jízda
Pokovování bez obsahu olova, směs nehalogenových forem
Související odkazy
- řada: 500V CoolMOS CE MOSFET IPA50R800CEXKSA2 N-kanálový 7.6 A 550 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: 500V CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 7.6 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: 500V CoolMOS CE MOSFET IPD50R500CEAUMA1 N-kanálový 7.6 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 7.6 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS MOSFET IPAN50R500CEXKSA1 N-kanálový 7.6 A 500 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 13 A 550 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 18.5 A 550 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPP50R190CEXKSA1 N-kanálový 18.5 A 550 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení