AEC-Q101, řada: IAUA MOSFET IAUA200N04S5N010AUMA1 N-kanálový 200 A 40 V Infineon, PG-HSOF-5, počet kolíků: 8 kolíkový

Skladové číslo RS:: 218-2987
Výrobní číslo:: IAUA200N04S5N010AUMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IAUA MOSFET IAUA200N04S5N010AUMA1 N-kanálový 200 A 40 V Infineon, PG-HSOF-5, počet kolíků: 8 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

51 158,00 Kč

(bez DPH)

61 902,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 4 000 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 +	25,579 Kč	51 158,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 218-2987
Výrobní číslo:: IAUA200N04S5N010AUMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	200A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	PG-HSOF-5
	Řada	IAUA
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	1mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	80nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	81W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení PG-HSOF-5
	Řada IAUA
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 1mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.1V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 80nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 81W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IAUA200N04S5N010AUMA1

MOSFET Infineon řady IAUA, maximální napětí drain-zdroj 40 V, maximální nepřetržitý drainový proud 200 A – IAUA200N04S5N010AUMA1

Tento MOSFET je vysokoproudový N-kanálový tranzistor navržený pro povrchové spínání a řízení napájení v náročných prostředích. Pracuje v rozšířeném teplotním rozsahu a podporuje kvalifikaci na úrovni automobilové výroby, díky čemuž je vhodný pro aplikace vyžadující robustní tepelnou toleranci a trvale vysoký vypouštěcí proud.

Charakteristiky a výhody:

• 1mΩ RDS(on) minimalizuje ztráty při vedení
• Stálý proud 200 A umožňuje přepínání při vysoké zátěži
• Odtokové napětí 40 V podporuje nízkonapěťové napájecí systémy
• Nabíjení hradla 80 nC umožňuje předvídatelné spínání
• Rozptýlení výkonu 81 W umožňuje zvládnout značné tepelné zatížení

Aplikace

• Vhodné pro moduly řízení napájení v automobilovém průmyslu
• Ideální pro vysokoproudové stupně budiče motoru
• Používá se s měničem DC/DC při rozvodu napájení
• Lze použít pro spínání zátěže v průmyslových ovládacích prvcích

Jaké limity napětí hradla je třeba dodržovat?

Zařízení přijímá pohon hradla až do 20 V a nemělo by překročit tuto hodnotu, aby se zabránilo namáhání hradla.

Jak se chová při extrémních teplotách?

Pracuje v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v prostředích s širokou tepelnou proměnlivostí.

Jaké pouzdro a typ montáže jsou k dispozici?

Součást je dodávána v pouzdru PG‐HSOF‐5 určeném pro povrchovou montáž.

Jaká kvalifikace pro automobilový průmysl se vztahuje na tuto součást?

Splňuje normu AEC-Q101 pro elektronické součásti v automobilovém průmyslu.