řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 170 A 75 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (800 jednotky/-ek, v kotouči po 800 ks)*

37 702,40 Kč

(bez DPH)

45 620,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 04. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
800 +47,128 Kč37 702,40 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
217-2631
Výrobní číslo:
IRFS3207ZTRRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

170A

Maximální napětí na zdroji Vds

75V

Typ balení

TO-263

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

4.1mΩ

Maximální ztrátový výkon Pd

300W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

170nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

9.65mm

Délka

10.67mm

Normy/schválení

No

Šířka

4.83mm

Automobilový standard

Ne

Výkonový MOSFET Infineon 75V Single N-Channel HEXFET v balení D2-pak.

Vylepšená brána, Avalanche a dynamická odolnost dv/dt

Plně charakterizované kapacity a Avalanche SOA

Vylepšená funkce tělové diody DV/dt a di/dt

Bez obsahu olova

V souladu s RoHS, bez halogenů

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.