řada: HEXFET MOSFET IRFS3207TRLPBF Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 217-2629
- Výrobní číslo:
- IRFS3207TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
315,37 Kč
(bez DPH)
381,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 340 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 63,074 Kč | 315,37 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2629
- Výrobní číslo:
- IRFS3207TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 170A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.5mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 260nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 9.65mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 170A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.5mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 260nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 9.65mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Infineon 75V Single N-Channel HEXFET v balení D2-pak.
Vylepšená brána Avalanche a dynamická odolnost DV/dt
Plně charakterizované kapacity a Avalanche SOA
Vylepšená funkce tělové diody DV/dt a di/dt
Bez obsahu olova
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 80 A 75 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon, TO-220
- řada: HEXFET MOSFET IRF2907ZSTRLPBF Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFS3207ZTRRPBF Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFR3607TRPBF Typ N-kanálový 80 A 75 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFB3207ZPBF Typ N-kanálový 170 A 75 V Infineon, TO-220