řada: HEXFET MOSFET IRF3805STRLPBF Typ N-kanálový 210 A 55 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 217-2598
- Výrobní číslo:
- IRF3805STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
554,27 Kč
(bez DPH)
670,665 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 950 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 110,854 Kč | 554,27 Kč |
| 25 - 45 | 99,788 Kč | 498,94 Kč |
| 50 - 120 | 93,12 Kč | 465,60 Kč |
| 125 - 245 | 87,536 Kč | 437,68 Kč |
| 250 + | 55,426 Kč | 277,13 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2598
- Výrobní číslo:
- IRF3805STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 210A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 190nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 6.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 210A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 190nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 6.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Infineon HEXFET® využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízké odolnosti vůči křemíku. Mezi další vlastnosti tohoto provedení patří pracovní teplota přechodu 175 °C, vysoká rychlost spínání a lepší odolnost vůči opakovaným průrazům. Tyto funkce se kombinují, aby byl tento design mimořádně účinným a spolehlivým zařízením pro použití v široké škále aplikací.
Špičková technologie zpracování
Obzvláště nízký zapínací odpor
Pracovní teplota 175 °C
Rychlé spínání
Možnost opakovaného průrazu až do hodnoty Tjmax
Bezolovnatá
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 210 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 110 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 29 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 30 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 55 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení