řada: IPN MOSFET IPN70R750P7SATMA1 Typ N-kanálový 6.5 A 700 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 217-2550
- Výrobní číslo:
- IPN70R750P7SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
1 190,05 Kč
(bez DPH)
1 439,95 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 7 600 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 23,801 Kč | 1 190,05 Kč |
| 100 - 200 | 17,369 Kč | 868,45 Kč |
| 250 - 450 | 16,179 Kč | 808,95 Kč |
| 500 - 1200 | 14,998 Kč | 749,90 Kč |
| 1250 + | 14,044 Kč | 702,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2550
- Výrobní číslo:
- IPN70R750P7SATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | IPN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 750mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 6.7W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.8mm | |
| Délka | 6.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada IPN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 750mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 6.7W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.8mm | ||
Délka 6.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Superjunction MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 je navržen tak, aby řešil typické problémy na trhu SMPS s nízkou spotřebou, a to díky vynikajícímu výkonu a snadnému použití, což umožňuje lepší tvarové faktory a cenovou konkurenceschopnost. Balíček SOT-223 je nákladově efektivní alternativou k DPAK, která také umožňuje snížit půdorys u některých návrhů. Lze jej umístit na typickou stopu DPAK a vykazuje srovnatelný tepelný výkon. Díky této kombinaci je CoolMOS™ P7 v SOT-223 ideální pro cílové aplikace.
Nejlépe padnoucí výkonná superjunction technologie
Cenově výhodné řešení balíčků
Nejlepší poměr cena/výkon ve své třídě
Související odkazy
- řada: IPN MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET Typ N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET Typ N-kanálový 4 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET IPN70R450P7SATMA1 Typ N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET IPN70R1K4P7SATMA1 Typ N-kanálový 4 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET Typ N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET Typ N-kanálový 4.5 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: IPN MOSFET IPN60R360P7SATMA1 Typ N-kanálový 9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení