řada: CoolMOS MOSFET IPAN60R650CEXKSA1 N-kanálový 9.9 A 600 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový P
- Skladové číslo RS:
- 217-2497
- Výrobní číslo:
- IPAN60R650CEXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
413,58 Kč
(bez DPH)
500,44 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 940 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 + | 20,679 Kč | 413,58 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2497
- Výrobní číslo:
- IPAN60R650CEXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 9.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 650mΩ | |
| Režim kanálu | P | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 82W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20.5nC | |
| Přímé napětí Vf | 900mV | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 29.87mm | |
| Délka | 16.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.8mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 9.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 650mΩ | ||
Režim kanálu P | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 82W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20.5nC | ||
Přímé napětí Vf 900mV | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 29.87mm | ||
Délka 16.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.8mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon CoolMOS™ CE je vhodný pro náročné a měkké spínací aplikace a jako moderní superjunction poskytuje nízké ztráty vedení a spínání, čímž zvyšuje efektivitu a nakonec snižuje spotřebu energie. 600V, 650V a 700V CoolMOS™ CE kombinují optimální R DS (ON) a balení, které nabízí vhodné v nabíječkách s nízkou spotřebou pro mobilní telefony a tablety.
Úzké okraje mezi typickou a maximální R DS(ON)sníženou energií uloženou v. Výstupní kapacita (E OSS)
Dobrá odolnost diody karosérie a snížené zatížení při zpětné regeneraci (Q rr)
Optimalizovaná integrovaná R g.
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 9.9 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový P
- řada: 600V CoolMOS CFD7 MOSFET N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový P
- řada: 600V CoolMOS CFD7 MOSFET IPA60R170CFD7XKSA1 N-kanálový 8 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový P
- řada: CoolMOS CE MOSFET N-kanálový 3.9 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový P
- řada: CoolMOS CE MOSFET IPA80R1K4CEXKSA2 N-kanálový 3.9 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový P
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový P
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET IPA70R450P7SXKSA1 N-kanálový 10 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový P
- řada: CoolMOS MOSFET N-kanálový 8.4 A 600 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N