řada: CoolMOS P7 MOSFET IPP80R600P7XKSA1 N-kanálový 8 A 800 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 215-2552
- Výrobní číslo:
- IPP80R600P7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
355,68 Kč
(bez DPH)
430,37 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 310 jednotka(y) budou odesílané od 14. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 35,568 Kč | 355,68 Kč |
| 50 - 90 | 33,814 Kč | 338,14 Kč |
| 100 - 240 | 32,357 Kč | 323,57 Kč |
| 250 - 490 | 30,949 Kč | 309,49 Kč |
| 500 + | 28,80 Kč | 288,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 215-2552
- Výrobní číslo:
- IPP80R600P7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | CoolMOS P7 | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 600mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 60W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada CoolMOS P7 | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 600mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 60W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada superjunction MOSFET Infineon 800V Cool MOS™ P7 je ideální pro aplikace SMPS s nízkým výkonem, protože plně vyhovuje potřebám trhu, pokud jde o výkon, snadné použití a poměr cena/výkon. Zaměřuje se především na aplikace pro zpětné létání, včetně adaptéru a nabíječky, ovladače LED, audio SMPS, AUX a průmyslové napájení. Tato nová produktová řada nabízí až 0.6% zvýšení účinnosti a o 2 °C až 8 °C nižší teplotu MOSFET ve srovnání s jeho předchůdcem a také konkurenční díly testované v typických aplikacích zpětného odlétování. Umožňuje také vyšší hustotu výkonu díky nižším ztrátám při spínání a lepším produktům DPAK RDS (ON).
Integrovaná Zenerova dioda ESD ochrana do třídy 2 (HBM)
Nejlepší kvalita a spolehlivost ve své třídě
Plně optimalizované portfolio
Související odkazy
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 11 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 13 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPA80R360P7XKSA1 N-kanálový 13 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPA80R600P7XKSA1 N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPA80R750P7XKSA1 N-kanálový 7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPP80R900P7XKSA1 N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení