řada: CoolMOS P7 MOSFET IPD80R750P7ATMA1 Typ N-kanálový 7 A 800 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-9053
- Výrobní číslo:
- IPD80R750P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 15 kusech)*
453,495 Kč
(bez DPH)
548,73 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 415 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 30,233 Kč | 453,50 Kč |
| 75 - 135 | 28,735 Kč | 431,03 Kč |
| 150 - 360 | 28,125 Kč | 421,88 Kč |
| 375 - 735 | 26,297 Kč | 394,46 Kč |
| 750 + | 24,503 Kč | 367,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-9053
- Výrobní číslo:
- IPD80R750P7ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | CoolMOS P7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 750mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 51W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.41mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada CoolMOS P7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 750mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17nC | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 51W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.41mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Nejnovější řada Infineon 800V CoolMOS P7 představuje nový standard v oblasti 800V superjunction technologií a kombinuje nejlepší výkon ve své třídě se snadným použitím ART, což je výsledkem průkopnické inovace technologie superjunction společnosti Infineon, která je již přes 18 let průkopníkem. Jsou snadno ovladatelné a rovnoběžné, což umožňuje návrhy s vyšší hustotou výkonu, úsporu kusovníku a nižší náklady na montáž. Ty se doporučují pro pevné a měkké přepínání Fly back topologií pro LED osvětlení, nabíječky a adaptéry s nízkou spotřebou, audio, AUX napájení a průmyslové napájení.
Dodává se s plně optimalizovaným portfoliem
Integrovaná ochrana proti elektrostatickému výboji Zenerovy diody
Související odkazy
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 7 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 1.9 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 4 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPD80R1K4P7ATMA1 Typ N-kanálový 4 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPD80R600P7ATMA1 Typ N-kanálový 8 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPD80R3K3P7ATMA1 Typ N-kanálový 1.9 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 800V CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 6 A 800 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení