řada: HEXFET MOSFET IRFS4410TRLPBF Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-4459
- Výrobní číslo:
- IRFS4410TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
331,97 Kč
(bez DPH)
401,685 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 10 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
- Plus 3 560 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 66,394 Kč | 331,97 Kč |
| 25 - 45 | 59,754 Kč | 298,77 Kč |
| 50 - 120 | 55,77 Kč | 278,85 Kč |
| 125 - 245 | 51,788 Kč | 258,94 Kč |
| 250 + | 48,468 Kč | 242,34 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4459
- Výrobní číslo:
- IRFS4410TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 88A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 180nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 88A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 180nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento výkonový MOSFET Infineon HEXFET má vylepšenou bránu, Avalanche a dynamickou odolnost dv/dt. Je vhodný pro vysoce efektivní synchronní rektifikaci v SMPS.
Je bez obsahu halogenů podle normy IEC61249-2-21
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRFB4410PBF Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET IRLH5030TRPBF Typ N-kanálový 88 A 100 V Infineon, PQFN
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 160 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový