řada: OptiMOS 5 MOSFET N-kanálový 112 A 150 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-4408
- Výrobní číslo:
- IPP076N15N5AKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
2 668,10 Kč
(bez DPH)
3 228,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 23. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 53,362 Kč | 2 668,10 Kč |
| 100 - 200 | 50,694 Kč | 2 534,70 Kč |
| 250 + | 48,022 Kč | 2 401,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4408
- Výrobní číslo:
- IPP076N15N5AKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 112A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Řada | OptiMOS 5 | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 214W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 49nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 15.93mm | |
| Délka | 10.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 112A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Řada OptiMOS 5 | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 214W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 49nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 15.93mm | ||
Délka 10.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
600V Cool MOS P7 super junkový MOSFET nadále vyvažuje potřebu vysoké účinnosti proti snadnému použití v procesu návrhu. Nejlepší RonxA ve své třídě a přirozeně nízké nabití hradla (QG) platformy Cool MOS™ 7. Generace zajišťují vysokou účinnost.
Je vybaven odolnou diodou
Integrovaný obvod RG snižuje citlivost oscilace MOSFET
Související odkazy
- Omron Sysmac Studio Drive Edition Programming Software Software
- STMicroelectronics 64 kB 100 ns NVRAM 28-Pin PCDIP
- STMicroelectronics 64 kB 150 ns NVRAM 28-Pin PCDIP
- STMicroelectronics 32 kB 70 ns NVRAM 28-Pin PCDIP, M48T35-70PC1
- STMicroelectronics 256 kB 70 ns NVRAM 28-Pin PCDIP
- STMicroelectronics 256 kB 70 ns NVRAM 28-Pin PCDIP, M48Z35Y-70PC1
- Infineon 4 MB 45 ns NVRAM 44-Pin TSOP, CY14B104LA-ZS25XI
- STMicroelectronics 16 kB 5 ns NVRAM 24-Pin PCDIP, M48Z12-150PC1
