řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET IPD70R900P7SAUMA1 N-kanálový 6 A 700 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-4394
- Výrobní číslo:
- IPD70R900P7SAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (50 jednotky/-ek, v balení po 50 ks)*
576,50 Kč
(bez DPH)
697,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 600 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 + | 11,53 Kč | 576,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4394
- Výrobní číslo:
- IPD70R900P7SAUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 700V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | 700V CoolMOS P7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 900mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16V | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 30.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.35mm | |
| Délka | 6.65mm | |
| Šířka | 6.42mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 700V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada 700V CoolMOS P7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 900mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 30.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.35mm | ||
Délka 6.65mm | ||
Šířka 6.42mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Infineon 700 V CoolMOS řady P7, maximální zdrojové napětí vypouštění 700 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A – IPD70R900P7SAUMA1
Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový spínací tranzistor navržený pro převod výkonu a spínací aplikace. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je určen pro konstrukce napájení pro povrchovou montáž, kde je vyžadováno vysoké blokovací napětí a střední proudová kapacita. Zařízení podporuje provoz v režimu zesílení a je vhodné pro systémy, které vyžadují kompaktní napájecí součásti s řízenými charakteristikami pohonu hradla.
Charakteristiky a výhody:
• Blokovací napětí 700 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A pro zvládání mírné zátěže
• Rds(on) 900 mΩ omezující ztráty při vedení při zátěži
• typické náboj hradla 6.8nC pro rychlejší přechod k hradlu
• Maximální ztrátový výkon 30.5 W pro tepelnou kapacitu
• Maximální jmenovitá hodnota hradla-zdroje 16 V umožňuje robustní pohon hradla
• nepřetržitý vypouštěcí proud 6 A pro zvládání mírné zátěže
• Rds(on) 900 mΩ omezující ztráty při vedení při zátěži
• typické náboj hradla 6.8nC pro rychlejší přechod k hradlu
• Maximální ztrátový výkon 30.5 W pro tepelnou kapacitu
• Maximální jmenovitá hodnota hradla-zdroje 16 V umožňuje robustní pohon hradla
Aplikace
• Vhodné pro primární spínače SMPS ve vysokonapěťových napájecích zdrojích
• Ideální pro offline napájecí zdroje vyžadující blokování 700 V
• Používá se s výkonovými měniči vyžadujícími středně vysoký stejnosměrný proud
• Lze použít pro spínané topologie v průmyslových zařízeních
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
• Ideální pro offline napájecí zdroje vyžadující blokování 700 V
• Používá se s výkonovými měniči vyžadujícími středně vysoký stejnosměrný proud
• Lze použít pro spínané topologie v průmyslových zařízeních
• Vhodné pro kompaktní napájecí moduly pro povrchovou montáž
Jaký typ pouzdra je k dispozici pro montáž na desku?
Dodává se v pouzdru TO-252 pro povrchovou montáž, což umožňuje připojení pájené desky plošných spojů a efektivní tepelný kontakt.
Jak rozsah teplot ovlivňuje nasazení v náročných prostředích?
Zařízení je určeno pro provoz v rozsahu -40 °C až 150 °C, což podporuje aplikace se zvýšenými teplotami spoje a širokými proměnnými v prostředí.
Jaká omezení hradlového pohonu je třeba dodržovat v konstrukcích?
Hradlo nesmí překročit ±16 V vzhledem ke zdroji, takže obvody pohonu hradla by měly obsahovat svorky nebo posun úrovně, aby se zabránilo přepětí.
Jak kanál a režim zařízení ovlivňují topologii obvodu?
Jelikož se jedná o vylepšovací zařízení s N-kanálem, pro vedení vyžaduje kladné napětí zdroje hradla a je vhodné pro spínání na nízké nebo vysoké straně s vhodným uspořádáním ovladačů.
Související odkazy
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 6 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 8.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 12.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET IPD70R600P7SAUMA1 N-kanálový 8.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET IPD70R360P7SAUMA1 N-kanálový 12.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 6 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 12.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: 700V CoolMOS P7 MOSFET N-kanálový 6.5 A 700 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
