řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 70 A 40 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový N
- Skladové číslo RS:
- 214-4349
- Výrobní číslo:
- IPA041N04NGXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 107,05 Kč
(bez DPH)
1 339,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 22,141 Kč | 1 107,05 Kč |
| 100 - 200 | 17,275 Kč | 863,75 Kč |
| 250 - 450 | 16,608 Kč | 830,40 Kč |
| 500 - 950 | 15,719 Kč | 785,95 Kč |
| 1000 + | 13,951 Kč | 697,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4349
- Výrobní číslo:
- IPA041N04NGXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 70A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | OptiMOS 3 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4.1mΩ | |
| Režim kanálu | N | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 35W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.68mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 16.15mm | |
| Výška | 4.85mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 70A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada OptiMOS 3 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4.1mΩ | ||
Režim kanálu N | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 35W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.68mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 16.15mm | ||
Výška 4.85mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento MOSFET Infineon OptMOS 3 je vybaven nejen nejnižším R DS(ON) v oboru, ale také dokonalým přepínacím chováním pro aplikace rychlého přepínání. O 15 % nižší R DS(ON) a o 31 % nižší hodnota vyznamenání (R DS(on) x Q g) ve srovnání s alternativními zařízeními byla realizována technologií tenkých destiček Advanced.
Je bez obsahu halogenů podle normy IEC61249-2-21
Související odkazy
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPA041N04NGXKSA1 N-kanálový 70 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový N
- řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 70 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET N-kanálový 70 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPP042N03LGXKSA1 N-kanálový 70 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET IPP048N04NGXKSA1 N-kanálový 70 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS™ 3 MOSFET IPP100N08N3GXKSA1 N-kanálový 70 A 80 V počet kolíků: 3 kolíkový Infineon Vylepšení 1
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení