řada: SCTL35N65G2V MOSFET Typ N-kanálový 40 A 650 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

3 201,10 Kč

(bez DPH)

3 873,30 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 28. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
10 - 99320,11 Kč
100 - 499316,16 Kč
500 - 999312,46 Kč
1000 +308,75 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
213-3942P
Výrobní číslo:
SCTL35N65G2V
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

40A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

SCTL35N65G2V

Typ balení

PowerFLAT

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

67mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

22V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

417W

Přímé napětí Vf

3.3V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

73nC

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Délka

8.1mm

Výška

0.95mm

Šířka

8.1mm

Automobilový standard

Ne

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.