řada: STWA68N65DM6 MOSFET STWA68N65DM6 N-kanálový 48 A 650 V, TO-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 212-2109P
- Výrobní číslo:
- STWA68N65DM6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 212-2109P
- Výrobní číslo:
- STWA68N65DM6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Řada | STWA68N65DM6 | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 48 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 650 V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 0.059 Ω | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Řada STWA68N65DM6 | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 48 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 650 V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 0.059 Ω | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
MDMesh M6 MOSFET N-CH
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converter.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness
