řada: SCTWA40N120G2V-4 MOSFET N-kanálový 45 A 1200 V STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 212-2094P
- Výrobní číslo:
- SCTWA40N120G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 212-2094P
- Výrobní číslo:
- SCTWA40N120G2V-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 45A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Řada | SCTWA40N120G2V-4 | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 70mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 61nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 3.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 277W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Šířka | 21.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 5.1mm | |
| Délka | 15.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 45A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Řada SCTWA40N120G2V-4 | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 70mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 61nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 3.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 277W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Šířka 21.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 5.1mm | ||
Délka 15.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics 650 v, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SIC MOSFET s příkopem Field-stop (TFS) IGBT stejné jmenovité napětí a ekvivalentní on-state odpor. MOSFET STPOWER SIC vykazuje výrazně nižší ztráty při spínání i při vysokých teplotách. To umožňuje návrháři pracovat při velmi vysokých spínacích frekvencích, což snižuje velikost pasivních součástek pro menší rozměry.
Velmi nízké ztráty při spínání
Nízké ztráty výkonu při vysokých teplotách
Vyšší provozní teplota (až 200 °C)
Tělní dioda bez ztrát při regeneraci
Snadná jízda