řada: SCT1000N170 MOSFET N-kanálový 7 A 1.7 kV STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 212-2092P
- Výrobní číslo:
- SCT1000N170
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
2 371,20 Kč
(bez DPH)
2 869,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 30 jednotka(y) budou odesílané od 14. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 99 | 237,12 Kč |
| 100 + | 234,16 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 212-2092P
- Výrobní číslo:
- SCT1000N170
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1.7kV | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Řada | SCT1000N170 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.66Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 96W | |
| Přímé napětí Vf | 4.5V | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Šířka | 20.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 15.75mm | |
| Výška | 5.15mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1.7kV | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Řada SCT1000N170 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.66Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 96W | ||
Přímé napětí Vf 4.5V | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Šířka 20.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 15.75mm | ||
Výška 5.15mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics karbid křemíku výkonové MOSFET je vyroben s využitím Advanced, inovativní vlastnosti široké bandgap materiálů. Výsledkem je nepřekonatelný odpor na jednotku plochy a velmi dobrý spínací výkon téměř nezávislý na teplotě. Vynikající tepelné vlastnosti materiálu SIC v kombinaci s krytem zařízení ve vlastním balení HiP247 umožňují návrhářům používat standardní oborový obrys s výrazně zlepšenou tepelnou schopností.
Vysokorychlostní spínací výkon
Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa
Nízké kapacity