řada: SCT1000N170 MOSFET SCT1000N170 N-kanálový 7 A 1.7 kV STMicroelectronics, Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 212-2092
- Výrobní číslo:
- SCT1000N170
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 1%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
240,08 Kč
(bez DPH)
290,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 19. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 240,08 Kč | - |
| 10 - 99 | 237,12 Kč | 1% |
| 100 + | 234,16 Kč | 2% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 212-2092
- Výrobní číslo:
- SCT1000N170
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1.7kV | |
| Řada | SCT1000N170 | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.66Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 96W | |
| Přímé napětí Vf | 4.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Maximální provozní teplota | 200°C | |
| Šířka | 20.15mm | |
| Výška | 5.15mm | |
| Délka | 15.75mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1.7kV | ||
Řada SCT1000N170 | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.66Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 96W | ||
Přímé napětí Vf 4.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Maximální provozní teplota 200°C | ||
Šířka 20.15mm | ||
Výška 5.15mm | ||
Délka 15.75mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
SiC MOSFET
STMicroelectronics karbid křemíku výkonové MOSFET je vyroben s využitím Advanced, inovativní vlastnosti široké bandgap materiálů. Výsledkem je nepřekonatelný odpor na jednotku plochy a velmi dobrý spínací výkon téměř nezávislý na teplotě. Vynikající tepelné vlastnosti materiálu SIC v kombinaci s krytem zařízení ve vlastním balení HiP247 umožňují návrhářům používat standardní oborový obrys s výrazně zlepšenou tepelnou schopností.
Vysokorychlostní spínací výkon
Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa
Nízké kapacity
Související odkazy
- řada: SCT1000N170 MOSFET SCT1000N170 N-kanálový 7 A 1.7 kV STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET N-kanálový 45 A 1.2 kV STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SCT30N120 N-kanálový 45 A 1.2 kV STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SCTWA40N120G2V-4 MOSFET N-kanálový 45 A 1.2 kV STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SCTW70N MOSFET SCTW70N120G2V N-kanálový 91 A 1.2 kV STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 Hip-247, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SCTW40N MOSFET SCTW40N120G2V N-kanálový 36 A 1.2 kV STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: SCT MOSFET SCT50N120 N-kanálový 65 A 1.2 kV počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání