řada: STP50N60DM6 MOSFET N-kanálový 36 A 600 V STMicroelectronics, TO-LL, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 206-8634P
- Výrobní číslo:
- STP50N60DM6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (20 jednotky/-ek, dodává se v tubě)*
2 754,10 Kč
(bez DPH)
3 332,46 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 20 - 98 | 137,705 Kč |
| 100 - 198 | 123,005 Kč |
| 200 + | 105,715 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 206-8634P
- Výrobní číslo:
- STP50N60DM6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 36A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | STP50N60DM6 | |
| Typ balení | TO-LL | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 10mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.4mm | |
| Délka | 28.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 36A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada STP50N60DM6 | ||
Typ balení TO-LL | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 10mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.4mm | ||
Délka 28.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou obnovu MDmesh DM6. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh Fast kombinuje model DM6 velmi nízký poplatek za obnovu (Qrr), dobu obnovení (trr) a vynikající zlepšení RDS (ON) na plochu s jedním z nejúčinnějších způsobů přepínání dostupných na trhu pro nejnáročnější topologie mostů s vysokou účinností a převodníky fáze řazení ZVS.
Dioda tělesa pro rychlé obnovení
Nižší RDS (ON) na plochu oproti předchozí generaci
Nízké nabití hradla, vstupní kapacita a odpor
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Extrémně vysoká odolnost dv/dt
Ochrana Zenerovou diodou