řada: STP50N60DM6 MOSFET N-kanálový 36 A 600 V STMicroelectronics, TO-LL, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 206-6072
- Výrobní číslo:
- STP50N60DM6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 687,75 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
4 194,05 Kč
(bez DPH)
5 074,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 83,881 Kč | 4 194,05 Kč | - |
| 250 + | 81,13 Kč | 4 056,50 Kč | 687,75 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 206-6072
- Výrobní číslo:
- STP50N60DM6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 36A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-LL | |
| Řada | STP50N60DM6 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 10mm | |
| Délka | 28.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 36A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-LL | ||
Řada STP50N60DM6 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 55nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 10mm | ||
Délka 28.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vysokonapěťový N-kanálový výkonový MOSFET STMicroelectronics je součástí řady diod pro rychlou obnovu MDmesh DM6. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh Fast kombinuje model DM6 velmi nízký poplatek za obnovu (Qrr), dobu obnovení (trr) a vynikající zlepšení RDS (ON) na plochu s jedním z nejúčinnějších způsobů přepínání dostupných na trhu pro nejnáročnější topologie mostů s vysokou účinností a převodníky fáze řazení ZVS.
Dioda tělesa pro rychlé obnovení
Nižší RDS (ON) na plochu oproti předchozí generaci
Nízké nabití hradla, vstupní kapacita a odpor
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Extrémně vysoká odolnost dv/dt
Ochrana Zenerovou diodou
Související odkazy
- řada: STP50N60DM6 MOSFET STP50N60DM6 N-kanálový 36 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 46 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STO65N60DM6 N-kanálový 46 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET F7 MOSFET STO450N6F7 N-kanálový 545 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: STO60 MOSFET STO60N030M9 N-kanálový 79 A 600 V počet kolíků: 8 kolíkový N-kanál
- řada: STO60 MOSFET STO60N045DM9 N-kanálový 55 A 600 V počet kolíků: 8 kolíkový N-kanál
- řada: STripFET F7 MOSFET N-kanálový 545 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení N-kanál
- MOSFET N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení