řada: DMT616 MOSFET DMT616MLSS-13 N-kanálový 10 A 60 V DiodesZetex, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 206-0157
- Výrobní číslo:
- DMT616MLSS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (25 jednotky/-ek, v balení po 25 ks)*
214,20 Kč
(bez DPH)
259,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 125 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 + | 8,568 Kč | 214,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 206-0157
- Výrobní číslo:
- DMT616MLSS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | DMT616 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 21mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 13.6nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.39W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.85mm | |
| Výška | 1.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada DMT616 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 21mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 13.6nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.39W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.85mm | ||
Výška 1.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET DiodesZetex 60V,8-pin N- režim vylepšení kanálů je navržen tak, aby minimalizoval odpor ve stavu, ale zároveň udržoval vynikající spínací výkon, což je ideální pro vysoce efektivní řízení spotřeby. Jeho vstupní napětí je 20 v s tepelným ztrátovým výkonem 1.39 W.
Vysoká rychlost spínání
Nízká vstupní kapacita
Související odkazy
- řada: DMT616 MOSFET N-kanálový 10 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: DMT67M8LSS MOSFET DMT67M8LSS-13 N-kanálový 14.8 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ZXMS6008DN8 MOSFET ZXMS6008N8-13 N-kanálový 0.9 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Výkonový MOSFET DMP2040USD-13 Typ P-kanálový 6.5 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: DMT67M8LSS MOSFET Typ N-kanálový 14.8 A 60 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 6.5 A 20 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 1 Jednoduchý
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení