AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100, řada: DMN3401 MOSFET Typ N-kanálový 800 mA 30 V, SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*

294,90 Kč

(bez DPH)

356,85 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 1 900 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
50 - 505,898 Kč294,90 Kč
100 - 2005,192 Kč259,60 Kč
250 - 4505,049 Kč252,45 Kč
500 - 9504,945 Kč247,25 Kč
1000 +4,802 Kč240,10 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
206-0085
Výrobní číslo:
DMN3401LDW-7
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

800mA

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SOT-363

Řada

DMN3401

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

700mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

0.5nC

Maximální ztrátový výkon Pd

0.35W

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Konfigurace tranzistoru

Duální

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

0.95mm

Délka

2.15mm

Normy/schválení

No

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Země původu (Country of Origin):
CN
MOSFET DiodesZetex 30V dual N- channel Enhancement mode je navržen tak, aby minimalizoval odpor ve stavu, a přitom udržoval vynikající spínací výkon, což je ideální pro vysoce efektivní řízení spotřeby. Jeho vstupní napětí je 20 v s tepelným ztrátovým výkonem 0.29 W.

Nízký odpor při zapnutí

Nízká vstupní kapacita

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.