řada: STN6N60M2 MOSFET Typ N-kanálový 5.5 A 25 V STMicroelectronics, SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 204-9958
- Výrobní číslo:
- STN6N60M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 naviják po 4000 kusech)*
25 752,00 Kč
(bez DPH)
31 160,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 24. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 4000 + | 6,438 Kč | 25 752,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 204-9958
- Výrobní číslo:
- STN6N60M2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 25V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | STN6N60M2 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.25Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 6W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.8mm | |
| Délka | 6.8mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 25V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada STN6N60M2 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.25Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 6W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.8mm | ||
Délka 6.8mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics zařízení je N-kanálový výkonový MOSFET vyvinutý pomocí technologie MDmesh M2. Díky svému uspořádání pásů a vylepšené vertikální konstrukci vykazuje zařízení nízkou odolnost a optimalizované spínací vlastnosti, takže je vhodné pro nejnáročnější měniče s vysokou účinností.
Extrémně nízký náboj řídicí elektrody
Vynikající výstupní kapacita (COSS) profil
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Ochrana Zenerovou diodou
Související odkazy
- řada: STN6N60M2 MOSFET STN6N60M2 Typ N-kanálový 5.5 A 25 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STN3N MOSFET Typ N-kanálový 4 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 6.5 A 30 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 4 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ P-kanálový 3 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET Typ N-kanálový 2.4 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET MOSFET STN3P6F6 Typ P-kanálový 3 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: STN3N MOSFET STN3NF06 Typ N-kanálový 4 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
