řada: SiR870BDP MOSFET SiR870BDP-T1-RE3 Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 204-7224
- Výrobní číslo:
- SiR870BDP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
438,67 Kč
(bez DPH)
530,79 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 01. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 43,867 Kč | 438,67 Kč |
| 50 - 90 | 35,123 Kč | 351,23 Kč |
| 100 - 240 | 30,924 Kč | 309,24 Kč |
| 250 - 490 | 30,085 Kč | 300,85 Kč |
| 500 + | 29,368 Kč | 293,68 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 204-7224
- Výrobní číslo:
- SiR870BDP-T1-RE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 81A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | SiR870BDP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.1mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 110nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 100W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 6.25mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5.26mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 81A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada SiR870BDP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.1mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 110nC | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 100W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 6.25mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5.26mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay N-kanál 100 v (D-s) má velmi nízkou hodnotu vyznamenání RDS x QG a je vyladěn pro nejnižší RDS x Qoss FOM.
TrenchFET MOSFET výkonový Gen IV
Testováno 100 % RG a UIS
Související odkazy
- řada: SiR870BDP MOSFET Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiDR104ADP MOSFET SiDR104ADP-T1-RE3 Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR104LDP MOSFET SiR104LDP-T1-RE3 Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR104LDP MOSFET Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiDR104ADP MOSFET Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiR870BDP Jednoduché tranzistory MOSFET SIR870BDP-T1-UE3 Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků:
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET Gen IV MOSFET SiR104ADP-T1-RE3 Typ N-kanálový 81 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový