řada: SCTH50N120-7 Napájecí modul SiC SCTH50N120-7 N-kanálový 55 A 1.2 kV, H2PAK-7 STMicroelectronics, počet kolíků: 7
- Skladové číslo RS:
- 204-3954P
- Výrobní číslo:
- SCTH50N120-7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 204-3954P
- Výrobní číslo:
- SCTH50N120-7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Řada | SCTH50N120-7 | |
| Typ produktu | Napájecí modul SiC | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 55 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 1.2 kV | |
| Typ balení | H2PAK-7 | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 0.065 Ω | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Řada SCTH50N120-7 | ||
Typ produktu Napájecí modul SiC | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 55 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 1.2 kV | ||
Typ balení H2PAK-7 | ||
Počet kolíků 7 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 0.065 Ω | ||
Typ montáže Povrch | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties ofwide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very tight variation of on-resistance vs.
temperature
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance