řada: M6 MOSFET STD18N60M6 Typ N-kanálový 13 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 203-3433
- Výrobní číslo:
- STD18N60M6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
268,24 Kč
(bez DPH)
324,57 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 14. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 53,648 Kč | 268,24 Kč |
| 50 - 245 | 47,178 Kč | 235,89 Kč |
| 250 - 495 | 42,138 Kč | 210,69 Kč |
| 500 + | 36,21 Kč | 181,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 203-3433
- Výrobní číslo:
- STD18N60M6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | M6 | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 230mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16.8nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 10.1mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada M6 | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 230mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16.8nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 10.1mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power obsahuje nejnovější vylepšení známé a konsolidované řady MOSFET MDmesh společnosti SJ. Předchozí generace zařízení MDmesh díky nové technologii M6 je vyrobena společností STMicroelectronics. To kombinuje vynikající zlepšení RDS (On) na plochu s jedním z nejúčinnějších dostupných přepínacích chování a také uživatelsky přívětivé prostředí pro maximální efektivitu koncových aplikací.
Snížení ztrát při přepínání
Nízký vstupní odpor kulisy
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Ochrana Zenerovou diodou
Související odkazy
- řada: M6 MOSFET Typ N-kanálový 13 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: M6 MOSFET Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: M6 MOSFET STD16N60M6 Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- MOSFET Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 6 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STD15N60DM6 Typ N-kanálový 12 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STD13N60DM2 Typ N-kanálový 11 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení