řada: NTB MOSFET N-kanálový 60 A 1200 V onsemi, TO-263, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 202-5690P
- Výrobní číslo:
- NTBG040N120SC1
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
20 389,90 Kč
(bez DPH)
24 671,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- 325 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 50 + | 407,798 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-5690P
- Výrobní číslo:
- NTBG040N120SC1
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | NTB | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 40mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 357W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 106nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Přímé napětí Vf | 3.7V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.2mm | |
| Výška | 15.7mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada NTB | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 40mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 357W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 106nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Přímé napětí Vf 3.7V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.2mm | ||
Výška 15.7mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 4.7mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK−7L Karbid křemíku (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
Výkonové tranzistory MOSFET ON SEMICONDUCTOR ze silikonového karbidu mají 60 a a 1200 V. Lze jej použít v nepřerušitelným zdroji napájení, převodníku DC nebo DC, invertoru Boost.
40 mO odkapejte na zdroj při odporu
Velmi nízké nabití hradítka
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Bez olova
Vyhovuje RoHS