řada: ST MOSFET STW70N65DM6-4 N-kanálový 68 A 650 V, TO-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- Skladové číslo RS:
- 202-5549
- Výrobní číslo:
- STW70N65DM6-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 28%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
296,40 Kč
(bez DPH)
358,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 jednotka(y) budou odesílané od 09. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 296,40 Kč | - |
| 10 - 99 | 213,11 Kč | 28% |
| 100 - 599 | 204,11 Kč | 31% |
| 600 + | 201,65 Kč | 31% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-5549
- Výrobní číslo:
- STW70N65DM6-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 68A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | ST | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.036Ω | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 125nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 450W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 41.2mm | |
| Délka | 15.9mm | |
| Šířka | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 68A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada ST | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.036Ω | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 125nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 450W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 41.2mm | ||
Délka 15.9mm | ||
Šířka 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové MOSFET STMicroelectronics N-channel je součástí řady diod pro rychlou regeneraci MDmesh™ DM6. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh FAST kombinuje technologie DM6 velmi nízký poplatek za obnovení (Qrr), dobu obnovení (trr) a vynikající zlepšení RDS(on) na oblast s jedním z nejefektivnějších způsobů přepínání dostupných na trhu.
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Ochrana Zenerovou diodou
Související odkazy
- řada: ST MOSFET STW70N65DM6 N-kanálový 68 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET N-kanálový 68 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET STWA70N65DM6 N-kanálový 68 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: SCT MOSFET N-kanálový 45 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET N-kanálový 52 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: SCT MOSFET SCTW35N65G2VAG N-kanálový 45 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET STWA67N60M6 N-kanálový 52 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Vyčerpání
- řada: ST MOSFET N-kanálový 62 A 600 V počet kolíků: 4 kolíkový Vyčerpání