řada: SCT Moduly MOSFET SCTWA30N120 N-kanálový 45 A 1.2 kV, Hip-247 STMicroelectronics, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 202-5494P
- Výrobní číslo:
- SCTWA30N120
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 202-5494P
- Výrobní číslo:
- SCTWA30N120
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Řada | SCT | |
| Typ produktu | Moduly MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 45 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 1.2 kV | |
| Typ balení | Hip-247 | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 0.09 Ω | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Řada SCT | ||
Typ produktu Moduly MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 45 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 1.2 kV | ||
Typ balení Hip-247 | ||
Počet kolíků 3 | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 0.09 Ω | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance