řada: SCT MOSFET SCTH100N65G2-7AG N-kanálový 95 A 650 V, H2PAK STMicroelectronics, počet kolíků: 7 kolíkový Vyčerpání
- Skladové číslo RS:
- 202-5481P
- Výrobní číslo:
- SCTH100N65G2-7AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 10 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
6 034,20 Kč
(bez DPH)
7 301,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 17. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 10 - 99 | 603,42 Kč |
| 100 - 999 | 596,01 Kč |
| 1000 + | 588,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-5481P
- Výrobní číslo:
- SCTH100N65G2-7AG
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 95A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | H2PAK | |
| Řada | SCT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.02Ω | |
| Režim kanálu | Vyčerpání | |
| Přímé napětí Vf | 2.8V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 22V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 162nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 360W | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4.8mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 15.25mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 95A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení H2PAK | ||
Řada SCT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 7 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.02Ω | ||
Režim kanálu Vyčerpání | ||
Přímé napětí Vf 2.8V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 22V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 162nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 360W | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4.8mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 15.25mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové MOSFET z karbidu křemíku třídy STMicroelectronics pro automobilový průmysl byl vyvinut pomocí Advanced společnosti ST a inovativní technologie MOSFET druhé generace SIC. Zařízení má pozoruhodně nízký odpor na jednotku a velmi dobrý spínací výkon.
Velmi rychlá a robustní dioda vnitřního tělesa
Nízká kapacita