řada: SCTH35 MOSFET SCTH35N65G2V-7 N-kanálový 45 A 650 V, H2PAK-7 STMicroelectronics, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 201-0891P
- Výrobní číslo:
- SCTH35N65G2V-7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 201-0891P
- Výrobní číslo:
- SCTH35N65G2V-7
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Řada | SCTH35 | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) | 45 A | |
| Maximální napětí na zdroji (Vds) | 650 V | |
| Typ balení | H2PAK-7 | |
| Počet kolíků | 7 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální odpor zdroje (Rds) | 0.055 Ω | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Řada SCTH35 | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud (Id) 45 A | ||
Maximální napětí na zdroji (Vds) 650 V | ||
Typ balení H2PAK-7 | ||
Počet kolíků 7 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální odpor zdroje (Rds) 0.055 Ω | ||
Typ montáže Povrch | ||
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance