AEC-Q101, řada: NVTFS010N10MCL MOSFET NVTFS010N10MCLTAG N-kanálový 57.8 A 100 V onsemi, WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 195-2554
- Výrobní číslo:
- NVTFS010N10MCLTAG
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (1 balení po 30 kusech)*
637,47 Kč
(bez DPH)
771,33 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- Plus 5 040 jednotka(y) budou odesílané od 05. října 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 30 + | 21,249 Kč | 637,47 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 195-2554
- Výrobní číslo:
- NVTFS010N10MCLTAG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 57.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | NVTFS010N10MCL | |
| Typ balení | WDFN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 15.9mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 77.8W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 3.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.3mm | |
| Výška | 750μm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 57.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada NVTFS010N10MCL | ||
Typ balení WDFN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 15.9mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 77.8W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 3.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.3mm | ||
Výška 750μm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 3 x 3 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. K dispozici možnost se smáčitelnými boky pro lepší optickou kontrolu. Technologie MOSFET a možnost PPAP vhodná pro automobilové aplikace.
Malý půdorys (3 x 3 mm)
Kompaktní provedení
Nízký odpor při zapnutí
Minimalizuje ztráty vedením
Nízká kapacita
Minimalizace ztrát budiče
Možnost PPAP
Vhodné pro automobilové aplikace
Použití
Ochrana proti obrácené polaritě
Napájecí spínače (budič High Side, budič Low Side, H-můstky atd.)
Spínané napájecí zdroje
Související odkazy
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 85 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 107 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET NTTFS5C454NLTAG N-kanálový 85 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET NTTFS5C453NLTAG Typ N-kanálový 107 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 WDFN, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení