řada: NTMYS010N04CL MOSFET NTMYS010N04CLTWG N-kanálový 38 A 40 V onsemi, LFPAK, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 195-2531
- Výrobní číslo:
- NTMYS010N04CLTWG
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (30 jednotky/-ek, v balení po 30 ks)*
1 890,03 Kč
(bez DPH)
2 286,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 63,001 Kč | 1 890,03 Kč |
| 120 - 270 | 54,307 Kč | 1 629,21 Kč |
| 300 + | 47,078 Kč | 1 412,34 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 195-2531
- Výrobní číslo:
- NTMYS010N04CLTWG
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 38A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | LFPAK | |
| Řada | NTMYS010N04CL | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 17.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 28W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.25mm | |
| Výška | 1.15mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 38A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení LFPAK | ||
Řada NTMYS010N04CL | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 17.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 28W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.25mm | ||
Výška 1.15mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Průmyslový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 5 x 6 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry.
Malé rozměry (5 x 6 mm) umožňují kompaktní návrh
Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením
Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče
Pouzdro Lfpak4, Průmyslová Norma
Tato zařízení jsou bez obsahu olova
Související odkazy
- řada: NTMYS010N04CL MOSFET N-kanálový 38 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 LFPAK, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS1D0N04C MOSFET N-kanálový 300 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS0D9N04CL MOSFET N-kanálový 330 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS014N06CL MOSFET N-kanálový 36 A 60 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMYS7D3N04CL MOSFET N-kanálový 52 A 40 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS1D4N06CL MOSFET N-kanálový 262 A 60 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: NTMJS1D5N04CL MOSFET N-kanálový 200 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení