Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	200A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Typ balení	LFPAK
	Řada	NVMJS1D5N04CL
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	2.2mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	70nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	110W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Výška	1.15mm
	Délka	5mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 200A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Typ balení LFPAK
	Řada NVMJS1D5N04CL
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 2.2mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 70nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 110W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Výška 1.15mm
	Délka 5mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet NVMJS1D5N04CLTWG

Automobilový výkonový tranzistor MOSFET v plochém pouzdru 5 x 6 mm s vývody, navrženém pro kompaktní a efektivní aplikace a poskytujícím vynikající tepelné parametry. K dispozici možnost se smáčitelnými boky pro lepší optickou kontrolu. Technologie MOSFET a možnost PPAP vhodná pro automobilové aplikace.

Malé rozměry (5 x 6 mm) umožňují kompaktní návrh

Nízká hodnota RDS(on) pro minimalizaci ztrát vedením

Nízká hodnota QG a nízká kapacita pro minimalizaci ztrát budiče

Pouzdro Lfpak8, Průmyslový Standard

Možnost PPAP

Tato zařízení jsou bez obsahu olova

AEC-Q101, řada: NVMJS1D5N04CL MOSFET Typ N-kanálový 200 A 40 V onsemi, LFPAK, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS