řada: STD5N MOSFET N-kanálový 3.5 A 600 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 193-5390P
- Výrobní číslo:
- STD5N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 250 jednotky/-ek (dodává se na cívce)*
4 591,75 Kč
(bez DPH)
5 556,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 17. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 250 - 600 | 18,367 Kč |
| 625 + | 15,294 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 193-5390P
- Výrobní číslo:
- STD5N60DM2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | STD5N | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.55Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.2mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada STD5N | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.55Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.2mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Šířka 6.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento vysokonapěťový výkonový MOSFET N-channel je součástí řady MDmesh™ DM2 s rychlou obnovou diod. Nabízí velmi nízké využití kapacity (Qrr) a času (trr) v kombinaci s nízkým systémem RDS (On), takže je vhodný pro nejnáročnější vysoce účinné měniče a je ideální pro topologie mostů a převodníky fáze-posunu ZVS.
Dioda tělesa pro rychlé obnovení
Extrémně nízké nabití hradla a vstupní kapacita
Nízký odpor při zapnutí
Extrémně vysoká kapacita dv/dt
Ochrana Zenerovou diodou