řada: MDmesh M5 MOSFET STB45N30M5 N-kanálový 53 A 300 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 192-4977
- Výrobní číslo:
- STB45N30M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
363,34 Kč
(bez DPH)
439,64 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 26. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 181,67 Kč | 363,34 Kč |
| 20 - 48 | 165,49 Kč | 330,98 Kč |
| 50 + | 137,95 Kč | 275,90 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 192-4977
- Výrobní číslo:
- STB45N30M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 53A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 300V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | MDmesh M5 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.04Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 95nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.37mm | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 53A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 300V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada MDmesh M5 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.04Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 95nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.37mm | ||
Šířka 9.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Toto zařízení je výkonový MOSFET N-channel založený na inovativní vertikální procesní technologii MDmesh™ M5 v kombinaci s dobře známým horizontálním uspořádáním PowerMESH™. Výsledný produkt nabízí extrémně nízkou odolnost, takže je vhodný zejména pro aplikace vyžadující vysoký výkon a vynikající účinnost.
Extrémně nízký RDS (zapnuto)
Nízké nabití hradla a vstupní kapacita
Vynikající spínací vlastnosti
Související odkazy
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 53 A 300 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 42 A 710 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 33 A 650 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 35 A 710 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET N-kanálový 30 A 710 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET STB45N65M5 N-kanálový 35 A 710 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET STB57N65M5 N-kanálový 42 A 710 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET STB38N65M5 N-kanálový 30 A 710 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení