MOSFET N-kanálový 15 A 600 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 192-4882P
- Výrobní číslo:
- STL26N60DM6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 2%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
2 656,30 Kč
(bez DPH)
3 214,10 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 165 jednotka(y) budou odesílané od 13. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 245 | 53,126 Kč | - |
| 250 - 495 | 51,872 Kč | 2% |
| 500 + | 48,548 Kč | 8% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 192-4882P
- Výrobní číslo:
- STL26N60DM6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 15A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 215mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 8.1mm | |
| Výška | 900μm | |
| Délka | 8.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 15A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 215mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 8.1mm | ||
Výška 900μm | ||
Délka 8.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tento vysokonapěťový výkonový MOSFET N-channel je součástí řady diod MDmesh™ DM5 s rychlou obnovou. Ve srovnání s předchozí generací technologie MDmesh FAST kombinuje model DM6 velmi nízkou úroveň nabití obnovy (Qrr), dobu obnovy (trr) a vynikající zlepšení RDS(ON) na oblast s efektivním přepínáním pro nejnáročnější vysoce účinné topologie mostů a převodníky fáze-SHIFT systému ZVS.
Dioda tělesa pro rychlé obnovení
Nižší RDS (zapnuto) na plochu oproti předchozí generaci
Nízké nabití hradla, vstupní kapacita a odpor
Extrémně vysoká odolnost dv/dt
Ochrana Zenerovou diodou