MOSFET N-kanálový 5.5 A 600 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 192-4825P
- Výrobní číslo:
- STL10N60M6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 250 kusů a ušetřete 2 729,50 Kč
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
2 292,20 Kč
(bez DPH)
2 773,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 245 | 45,844 Kč | - |
| 250 - 495 | 34,926 Kč | 2 729,50 Kč |
| 500 + | 31,024 Kč | 7 410,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 192-4825P
- Výrobní číslo:
- STL10N60M6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 660mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 48W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5mm | |
| Délka | 6mm | |
| Výška | 950μm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 660mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 48W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5mm | ||
Délka 6mm | ||
Výška 950μm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Nová technologie MDmesh™ M6 zahrnuje nejnovější vylepšení známé a konsolidované řady MDmesh tranzistorů SJ MOSFET. Společnost STMicroelectronics staví na předchozí generaci zařízení MDmesh prostřednictvím nové technologie M6, která kombinuje vynikající RDS(on) na zlepšení oblasti s jedním z nejúčinnějších dostupných způsobů přepínání a také uživatelsky přívětivé zkušenosti pro maximální efektivitu koncových aplikací.
Snížené ztráty při spínání
Nižší RDS (zapnuto) na plochu oproti předchozí generaci
Nízký vstupní odpor kulisy
Ochrana Zenerovou diodou