MOSFET STL10N60M6 Typ N-kanálový 5.5 A 600 V STMicroelectronics, PowerFLAT, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 192-4825
- Výrobní číslo:
- STL10N60M6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
262,31 Kč
(bez DPH)
317,395 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 23. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 52,462 Kč | 262,31 Kč |
| 25 - 45 | 49,252 Kč | 246,26 Kč |
| 50 - 120 | 46,782 Kč | 233,91 Kč |
| 125 - 245 | 44,164 Kč | 220,82 Kč |
| 250 + | 41,892 Kč | 209,46 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 192-4825
- Výrobní číslo:
- STL10N60M6
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 660mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.8nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 48W | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6mm | |
| Výška | 0.95mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 660mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.8nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 48W | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6mm | ||
Výška 0.95mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Nová technologie MDmesh™ M6 zahrnuje nejnovější vylepšení známé a konsolidované řady MDmesh tranzistorů SJ MOSFET. Společnost STMicroelectronics staví na předchozí generaci zařízení MDmesh prostřednictvím nové technologie M6, která kombinuje vynikající RDS(on) na zlepšení oblasti s jedním z nejúčinnějších dostupných způsobů přepínání a také uživatelsky přívětivé zkušenosti pro maximální efektivitu koncových aplikací.
Snížené ztráty při spínání
Nižší RDS (zapnuto) na plochu oproti předchozí generaci
Nízký vstupní odpor kulisy
Ochrana Zenerovou diodou
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 5.5 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 15 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 25 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STL26N60DM6 Typ N-kanálový 15 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STL45N60DM6 Typ N-kanálový 25 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: MDmesh M5 MOSFET Typ N-kanálový 22 A 600 V STMicroelectronics počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 125 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET STL120N10F8 Typ N-kanálový 125 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení