AEC-Q101 MOSFET NVHL080N120SC1 Typ N-kanálový 44 A 1200 V onsemi, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 189-0419
- Výrobní číslo:
- NVHL080N120SC1
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 jednotka)*
308,50 Kč
(bez DPH)
373,28 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 31. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 308,50 Kč |
| 10 + | 265,77 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 189-0419
- Výrobní číslo:
- NVHL080N120SC1
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 44A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 1200V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 162mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 4V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 348W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 15.87mm | |
| Výška | 20.82mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 44A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 1200V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 162mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 4V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 348W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 15.87mm | ||
Výška 20.82mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Karbid křemíku (SiC) MOSFET, N-kanál – EliteSiC, 80 mΩ, 1200 V, M1, TO247−3
Silicon Carbide (SiC) MOSFET využívá zcela novou technologii, která poskytuje vynikající spínací výkon a vyšší spolehlivost ve srovnání se Silicon. Kromě toho nízká odolnost proti ON a kompaktní velikost čipu zajišťují nízkou kapacitu a náboj brány. Proto jsou mezi výhody systému patˇreny nejvyšší efektivita, rychlejší faster a vyšší hustota energie, redukované EMI a zmenšené velikosti systému.
1 200 V při jmenovitých otáčkách
MAX RDS(on) = 110 mΩ při Vgs = 20 V, ID = 20 A.
Vysokorychlostní přepínání a nízká kapacitance
Zařízení jsou bez kabelů
Aplikace
PFC
OBC
Koncové produkty
Převodník pro automobilový průmysl DC/DC pro elektrická/PHEV
Palubní nabíječka automobilu
Hnací ústrojí pomocného hydromotoru pro automobilový průmysl
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 44 A 1200 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 7 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení