MOSFET STS7NF60L Typ N-kanálový 7.5 A 60 V STMicroelectronics, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-8543
- Výrobní číslo:
- STS7NF60L
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
409,03 Kč
(bez DPH)
494,93 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 7 260 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 40,903 Kč | 409,03 Kč |
| 100 - 490 | 27,985 Kč | 279,85 Kč |
| 500 - 2490 | 22,576 Kč | 225,76 Kč |
| 2500 + | 21,094 Kč | 210,94 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8543
- Výrobní číslo:
- STS7NF60L
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 21mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.5W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.65mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 21mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 25nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.65mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento výkonný MOSFET představuje nejnovější vývoj technologie STMicroelectronic, což je jedinečný proces založený na proužcích "Single Feature Size™". Výsledný tranzistor vykazuje extrémně vysokou hustotu plnění při nízké odolnosti, robustních vlastnostech laviny a méně důležitých krocích vyrovnání, a proto představuje pozoruhodnou výrobní reprodukovatelnost.
Typické RDS(on) = 0,017 Ω
Pohon PŘI NÍZKÉ PRAHOVÉ HODNOTĚ
Standardní PÁJEČKA PRO SESTAVU S EASY AUTOMATICKÝM MONTÁŽÍ NA POVRCH
APLIKACE
Stejnosměrné ŘÍZENÍ MOTORU
DC-DC PŘEVODNÍKY
Zařízení INOMADIC PRO ŘÍZENÍ AKUMULÁTORU
IPORSTNÍ/STOLNÍ POČÍTAČE ŘÍZENÍ VÝKONU
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 7.5 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: STGAP2 MOSFET Typ N-kanálový 4 A 1700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: STGAP2 MOSFET STGAP2SICSNC Typ N-kanálový 4 A 1700 V STMicroelectronics počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- STMicroelectronics MOSFET MOSFET 4 A SO-8
- STMicroelectronics MOSFET STGAP2SICSNCTR MOSFET 4 A SO-8
- STMicroelectronics MOSFET MOSFET 1 4 A SO-8
- STMicroelectronics MOSFET STGAP2SICSNTR MOSFET 1 4 A SO-8
- STMicroelectronics MOSFET STGAP2SICSANCTR MOSFET 1 4 A SO-8