MOSFET STB80NF55-06T4 N-kanálový 80 A 55 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-8527P
- Výrobní číslo:
- STB80NF55-06T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 125 kusů a ušetřete 19%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 50 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
3 556,80 Kč
(bez DPH)
4 303,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 50 - 120 | 71,136 Kč | - |
| 125 + | 57,206 Kč | 19% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8527P
- Výrobní číslo:
- STB80NF55-06T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 80A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 6.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 142nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 4.37mm | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 80A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 6.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 142nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 4.37mm | ||
Šířka 9.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento výkonný MOSFET představuje nejnovější vývoj technologie STMicroelectronic, což je jedinečný proces založený na proužcích "Single Feature Size™". Výsledný tranzistor vykazuje extrémně vysokou hustotu balení pro nízkou odolnost, robustní vlastnosti laviny a méně kritické kroky vyrovnání, a proto představuje pozoruhodnou výrobní reprodukovatelnost.
Výjimečné schopnosti dv/dt
Charakterizace orientovaná na aplikace
Aplikace
Přepínání aplikace
Aplikace
Přepínání aplikace