AEC-Q101 MOSFET N-kanálový 7 A 650 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-8512P
- Výrobní číslo:
- STB43N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 5%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 20 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
4 263,20 Kč
(bez DPH)
5 158,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 748 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 20 - 48 | 213,16 Kč | - |
| 50 + | 202,045 Kč | 5% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8512P
- Výrobní číslo:
- STB43N65M5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 630mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 25V | |
| Přímé napětí Vf | 1.6V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 70W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 4.37mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 630mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 25V | ||
Přímé napětí Vf 1.6V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 70W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 9.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 4.37mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Toto zařízení je tranzistorový MOSFET s N-kanálovým výkonem založený na inovativní technologii vertikálních procesů MDmesh™ M5 v kombinaci s dobře známým horizontálním rozložením PowerMESH™. Výsledný produkt nabízí extrémně nízkou odolnost, proto je obzvláště vhodný pro aplikace vyžadující vysoký výkon a vynikající účinnost.
Extrémně nízká úroveň RDS(on)
Nízké nabití brány a vstupní kapacitance
Vynikající spínací vlastnosti
Aplikace
Přepínání aplikací