řada: STB11NM80 Napájecí MDmesh MOSFET N-kanálový 11 A 800 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 188-8461P
- Výrobní číslo:
- STB11NM80T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 20 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
3 480,20 Kč
(bez DPH)
4 211,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 27. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 20 - 48 | 174,01 Kč |
| 50 + | 142,765 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8461P
- Výrobní číslo:
- STB11NM80T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | Napájecí MDmesh MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Řada | STB11NM80 | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.4Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 43.6nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.86V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 150W | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 4.37mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu Napájecí MDmesh MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Řada STB11NM80 | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.4Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 43.6nC | ||
Přímé napětí Vf 0.86V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 150W | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 4.37mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Šířka 9.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tyto N-kanálové výkonové tranzistory MOSFET jsou vyvinuty pomocí revoluční technologie MDmesh™ společnosti STMicroelectronics, která spojuje proces vícenásobného vypouštění s horizontálním rozvržením PowerMESH™ společnosti. Tato zařízení nabízejí extrémně nízkou odolnost, vysoký dv/dt a vynikající lavinové charakteristiky. Tyto výkonové tranzistory MOSFET s využitím patentované techniky stripu ST se mohou pochlubit celkovým dynamickým výkonem, který je lepší než podobné výrobky na trhu.
Nízká kapacita vstupu a nabíjení brány
Nízký vstupní odpor zadní výklopné stěny
Nejlepší RDS(on)QG v oboru
Aplikace
Přepínání aplikací