MOSFET N-kanálový 4 A 800 V STMicroelectronics, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-8440P
- Výrobní číslo:
- STD5N80K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 100 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
1 968,20 Kč
(bez DPH)
2 381,50 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 4 660 jednotka(y) budou odesílané od 16. listopadu 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 100 - 490 | 19,682 Kč |
| 500 - 990 | 17,512 Kč |
| 1000 - 2490 | 17,301 Kč |
| 2500 + | 17,095 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-8440P
- Výrobní číslo:
- STD5N80K5
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.73Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 60W | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 2.17mm | |
| Délka | 6.6mm | |
| Šířka | 6.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.73Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 60W | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 2.17mm | ||
Délka 6.6mm | ||
Šířka 6.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento vysoce vysokonapěťový výkonový MOSFET typu N-channel je navržen pomocí technologie MDmesh K5 založené na inovativní proprietární vertikální struktuře. Výsledkem je dramatické snížení odolnosti vůči povětrnostním vlivům a mimořádně nízké nabití brány pro aplikace vyžadující vynikající hustotu energie a vysokou účinnost.
Nejnižší plocha RDS(on) x v oboru
Nejlepší FOM (hodnota zásluh) v oboru
Mimořádně nízké nabití zadní výklopné stěny
Ochrana Zenerovou diodou
Aplikace
Přepínání aplikací