řada: SiSS30LDN MOSFET SISS30LDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 55.5 A 80 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 188-5051
- Výrobní číslo:
- SISS30LDN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
315,91 Kč
(bez DPH)
382,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 31,591 Kč | 315,91 Kč |
| 100 - 240 | 30,035 Kč | 300,35 Kč |
| 250 - 490 | 22,798 Kč | 227,98 Kč |
| 500 - 990 | 20,55 Kč | 205,50 Kč |
| 1000 + | 17,339 Kč | 173,39 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-5051
- Výrobní číslo:
- SISS30LDN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 80V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212 | |
| Řada | SiSS30LDN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 32.5nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 57W | |
| Přímé napětí Vf | 1.1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 0.78mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 80V | ||
Typ balení PowerPAK 1212 | ||
Řada SiSS30LDN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 32.5nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 57W | ||
Přímé napětí Vf 1.1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 0.78mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET S N-Channel 80 V (D-S).
Výkonový tranzistor MOSFET TrenchFET® Gen IV
Velmi nízká kvalita RDS x QG (FOM)
Vyladěno pro nejnižší RDS x Qoss FOM
Související odkazy
- řada: SiSS30LDN MOSFET Typ N-kanálový 55.5 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ThunderFET MOSFET SIS468DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 30 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiSS32ADN MOSFET SiSS32ADN-T1-GE3 Typ N-kanálový 63 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiSS30ADN MOSFET SiSS30ADN-T1-GE3 Typ N-kanálový 54.7 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiS128LDN MOSFET SiS128LDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 33.7 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SiS126DN MOSFET SIS126DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 45.1 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET SI7113DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 13.2 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay
- MOSFET SIS412DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 12 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay