řada: SiSS92DN MOSFET SiSS92DN-T1-GE3 N-kanálový 12.3 A 250 V Vishay, PowerPAK 1212, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 188-4960
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-32-538
- Výrobní číslo:
- SiSS92DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
247,25 Kč
(bez DPH)
299,17 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 11. listopadu 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 24,725 Kč | 247,25 Kč |
| 100 - 240 | 24,28 Kč | 242,80 Kč |
| 250 - 490 | 21,02 Kč | 210,20 Kč |
| 500 - 990 | 16,055 Kč | 160,55 Kč |
| 1000 + | 13,091 Kč | 130,91 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-4960
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-32-538
- Výrobní číslo:
- SiSS92DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 250V | |
| Typ balení | PowerPAK 1212 | |
| Řada | SiSS92DN | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 190mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 65.8W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 3.3mm | |
| Délka | 3.3mm | |
| Výška | 780μm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 250V | ||
Typ balení PowerPAK 1212 | ||
Řada SiSS92DN | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 190mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 65.8W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 3.3mm | ||
Délka 3.3mm | ||
Výška 780μm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel 250 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® s technologií ThunderFET optimalizuje vyvážení RDS(on), QG, QSW a Qoss
Vedoucí postavení RDS(on) a RDS-Coss FOM
Související odkazy
- řada: SiSS92DN MOSFET SiSS92DN-T1-GE3 N-kanálový 12.3 A 250 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SISS5708DN-T1-GE3 N-kanálový 33.8 A 150 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiSS54DN-T1-GE3 N-kanálový 185.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI7415DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 5.7 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI7116BDN-T1-GE3 N-kanálový 65 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SiSH892BDN-T1-GE3 N-kanálový 20 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SISA04DN-T1-GE3 N-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiSHA12ADN MOSFET SiSHA12ADN-T1-GE3 N-kanálový 25 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení