AEC-Q101, řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 850 mA 20 V, SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Duální
- Skladové číslo RS:
- 188-4911
- Výrobní číslo:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
11 292,00 Kč
(bez DPH)
13 662,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 08. prosince 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,764 Kč | 11 292,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 188-4911
- Výrobní číslo:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 850mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | SOT-363 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 6 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 530mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Duální | |
| Výška | 1mm | |
| Délka | 2.2mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 850mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení SOT-363 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 6 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 530mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Konfigurace tranzistoru Duální | ||
Výška 1mm | ||
Délka 2.2mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Automobilový duální tranzistor N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.
Napájecí TrenchFET® MOSFET
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-363, počet kolíků: 6 kolíkový Vishay
- MOSFET Typ P-kanálový 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- MOSFET Typ N-kanálový 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 0.52 A 150 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET Typ P-kanálový 4 A 12 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- MOSFET DMN61D9UDWQ-7 Typ N-kanálový 60 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- MOSFET DMP31D7LDWQ-7 Typ P-kanálový 30 V počet kolíků: 6 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Duální
- AEC-Q101 SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay Vylepšení 2 Duální